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英特尔在存储器方面的创新闻名于世：除了可以用于RAM(随机存取存储器)的Optane SSD(即长期存储器)之后，还有STT-MRAM(旋转传递扭矩磁阻随机存取存储器) )。它是在SSCC(固态电路会议)上推出的，是SRAM(静态RAM)的替代产品，它特别用于处理器寄存器(几乎看不见的等待时间)，也用于NAND(或闪存)，位于SSD和存储卡中。

自90年代以来，MRAM并不是一种新技术。它以磁阻的形式存储信息(而不是存储在DRAM的电容器或闪存的NAND逻辑门中)。它结合了所有类型的内存的优点：您可以拥有非常密集的MRAM，并且访问时间非常短(读取和写入大约需要十纳秒)，而且没有波动。根据英特尔的测试，持久性也是必须的：存储单元可以生存至少一百万个周期，而每千亿个周期的读取错误少于一个。

英特尔专注于STT-MRAM(一种特殊类型的磁存储器)：传统上，正在考虑的秤使用相对强的磁场以使其略微反转。相反，STT技术使用极化电流(所有电子具有相同的自旋)。该技术使用较少的能量来进行一点微微的变化，大约为皮焦耳的十分之一(比通常的DRAM少五十倍，比闪存少几百倍)。

英特尔目前生产7兆字节的组件，因此它们不会给整个行业带来革命性的变化。该公司使用相对较旧的半导体制造工艺(声音为22 nm，自2011年开始提供)，但错误率不到千分之一。这种性能肯定是由于受控的制造过程和MRAM的相对简单的设计所致。